佰维推出UFS 3.1高速闪存 写入速度达1800MB/s

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据佰维公众号消息，该公司近日宣布推出UFS 3.1高速闪存，其写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度达2100MB/s，容量达256GB，未来将推出512GB、1TB容量。该产品尺寸为11.5×13.0×1.0mm，主要用于旗舰智能手机产品。 值得注意的是，佰维UFS 2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，成为国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维还可提供UFS 3.1+LPDDR4X / 5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度达6400Mbps，容量最高可达64Gb。 佰维表示，公司依托自研固件算法能力，根据JEDEC发布的UFS 3.1规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，以确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。 深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资。